سامسونج تستهدف 70% عائدًا من عملية GAA بدقة 3 نانومتر ولكن تحقق الثلث فقط

قد تكون سامسونج قد قادت سباق تقنيات 3 نانومتر من خلال عملية Gate-All-Around (GAA)، لكن عائدات الإنتاج لم تصل بعد إلى المستويات المستهدفة، وفقًا لتسريب جديد من كوريا.

يشير تقرير من Naver إلى أن سامسونج حددت هدفًا طموحًا بتحقيق عائد بنسبة 70٪ لعمليات GAA للجيلين الأول والثاني من تقنية 3 نانومتر، لكن يبدو أن هذا الهدف أصبح بعيد المنال. وفقًا للتقرير، كان التكرار الأول، الذي يُطلق عليه اسم “SF3E-3GAE”، أكثر نجاحًا نسبيًا، حيث تراوحت العائدات بين 50-60٪، وهو أقرب إلى الهدف، لكنه لا يزال أقل من المستوى المطلوب لجعل التكنولوجيا جذابة تجاريًا.

ويُعتقد أن هذا العجز هو السبب الرئيسي وراء عدم تبني العملاء لتقنية GAA من سامسونج بتقنية 3 نانومتر، حيث قررت شركة كوالكوم تصنيع معالج Snapdragon 8 Elite حصريًا باستخدام بنية TSMC 3 نانومتر “N3E” كدليل على ذلك.

أما بالنسبة للجيل الثاني من عملية تصنيع 3 نانومتر من سامسونج، المعروف باسم “SF3-3GAP”، فإن التوقعات تبدو أكثر قتامة. يشير التقرير إلى أن معدلات العائد لا تتجاوز 20٪، أي أقل من ثلث الهدف الأولي.

يُعتبر هذا النقص في التقدم بمثابة تهديد لثقة العملاء في تقنية 3 نانومتر من سامسونج، وقد يدفع بعض العملاء، بما في ذلك في كوريا الجنوبية، نحو تقنيات 3 نانومتر الأكثر رسوخًا من TSMC.

قد يتحول مشروع GAA مقاس 3 نانومتر إلى صداع لشركة سامسونج، ما قد يفسر تحويل الشركة للموارد والمواهب نحو تطوير عقدة 2 نانومتر القادمة.

تشير الشائعات إلى أن سامسونج تعمل على تطوير مجموعة شرائح Exynos جديدة، تحت الاسم الرمزي “Ulysses”، باستخدام تقنية “SF2P”، ومن المتوقع أن تظهر هذه الشريحة في طرازات Galaxy S المستقبلية، ربما في S27 في عام 2027.

مع ذلك، يبقى أن نرى ما إذا كانت سامسونج ستتمكن من التغلب على هذه التحديات وتحقيق نجاح تقنية 3 نانومتر كبديل قابل للتطبيق. إذا فشلت في ذلك، فقد يكون مستقبل معالج Exynos 2500 الرائد للشركة مهددًا أيضًا.

المصدر